一、平臺(tái)介紹

先進(jìn)半導(dǎo)體研究院（寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件平臺(tái)）聚焦寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際前沿和重大科學(xué)問(wèn)題，瞄準(zhǔn)國(guó)家在信息、能源等領(lǐng)域的重大戰(zhàn)略需求，依托長(zhǎng)三角區(qū)域領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)、浙江大學(xué)雄厚的科研實(shí)力和杭州科創(chuàng)中心創(chuàng)新的體制機(jī)制，打造一個(gè)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)的前沿技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)，推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合發(fā)展。研究院由杭州科創(chuàng)中心首席科學(xué)家楊德仁院士牽頭建設(shè)，學(xué)術(shù)委員會(huì)主任由鄭有炓院士擔(dān)任，院長(zhǎng)由盛況教授擔(dān)任。研究院將集中建設(shè)超凈實(shí)驗(yàn)室和寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、芯片研制、封裝測(cè)試及應(yīng)用的先進(jìn)研發(fā)設(shè)施和大型儀器設(shè)備。

二、重點(diǎn)引進(jìn)方向

（一）寬禁帶半導(dǎo)體材料（包括但不限于以下方向）

1、碳化硅單晶的生長(zhǎng)

2、碳化硅薄膜的外延

3、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷

4、碳化硅的電化學(xué)

5、碳化硅的表面及界面

6、碳化硅的新穎原型器件

7、氮化鎵薄膜的外延

8、半導(dǎo)體金剛石單晶薄膜的生長(zhǎng)

9、氧化鎵單晶的生長(zhǎng)

10、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷

11、寬禁帶半導(dǎo)體材料與二維材料的前沿交叉

12、寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備和加工設(shè)備

（二）寬禁帶半導(dǎo)體器件（包括但不限于以下方向）

1、碳化硅功率器件

2、氮化鎵功率器件

3、氧化鎵功率器件

4、其他寬禁帶功率器件

5、單芯片集成技術(shù)

6、多芯片集成技術(shù)

7、芯片散熱技術(shù)

8、射頻功率芯片技術(shù)

9、能量收集技術(shù)

10、寬禁帶傳感技術(shù)芯片

11、其他寬禁帶技術(shù)等

（三）封裝測(cè)試和應(yīng)用（包括但不限于以下方向）

1、功率器件的封裝

2、射頻器件的封裝

3、其他相關(guān)器件的封裝

4、模塊集成

5、測(cè)試技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)

三、青年人才卓越計(jì)劃

（一）申請(qǐng)條件

1、具有遠(yuǎn)大學(xué)術(shù)志向、創(chuàng)新精神、較強(qiáng)科研能力和社會(huì)責(zé)任感；

2、已獲得博士學(xué)位，年齡原則上不超過(guò)35周歲，特別優(yōu)秀者年齡條件可適當(dāng)放寬；

3、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅(jiān)實(shí)的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣，對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；

4、具備以獨(dú)立pi開(kāi)展研究工作的能力；

5、有寬禁帶材料與器件領(lǐng)域院士或國(guó)際知名專(zhuān)家推薦者優(yōu)先考慮；

6、原則上要求至少有1站博士后或兩年工作經(jīng)歷。

（二）待遇及保障

1、提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬保障（一人一議），符合條件者可同步享受杭州市和蕭山區(qū)相應(yīng)的人才政策（詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)文末）；

2、為入選者及其團(tuán)隊(duì)成員提供人才公寓，符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

3、提供首期（3年）300-500萬(wàn)元的科研資助（可持續(xù)滾動(dòng)資助）；

4、提供100-150㎡辦公實(shí)驗(yàn)空間；

5、提供"專(zhuān)人一站式"服務(wù)，共享科研平臺(tái)大型儀器設(shè)備；

6、入選者中科研業(yè)績(jī)突出且符合浙江大學(xué)人才標(biāo)準(zhǔn)的，可推薦聘至浙江大學(xué)；

7、符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口。

四、博士后研究人員

（一）申請(qǐng)條件

1、近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過(guò)35周歲；

2、保證全職從事博士后研究工作；

3、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等學(xué)科背景和科研經(jīng)驗(yàn)，從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；

4、具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和較強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；

5、具有良好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫(xiě)能力；

6、近三年內(nèi)以第一作者發(fā)表1篇以上有一定影響力的研究論文，研究成果突出者優(yōu)先考慮。

（二）待遇及保障

1、原則上稅前年薪不低于40萬(wàn)元（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議；

2、出站后留在科創(chuàng)中心工作的，可享受杭州市、蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策（詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)文末）；

3、對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)財(cái)政分別給予相應(yīng)配套資助；

4、提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓；

5、提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

6、參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績(jī)的，可獲得額外資助或津貼；

7、在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)；

8、工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)浙江大學(xué)教師崗位或科創(chuàng)中心技術(shù)研發(fā)崗位；

9、符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口。

五、技術(shù)開(kāi)發(fā)專(zhuān)家

（一）申請(qǐng)條件

1、已獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康；

2、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等學(xué)科背景和科研經(jīng)驗(yàn)，從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；

3、具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和較強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；

4、具有良好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫(xiě)能力；

5、近三年內(nèi)以第一作者發(fā)表1篇以上有一定影響力的研究論文，研究成果突出者優(yōu)先考慮。

（二）待遇及保障

1、提供有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)化薪酬，符合條件者可同步享受杭州市和蕭山區(qū)相應(yīng)的人才政策；

2、提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓；

3、提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

4、符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口。

六、運(yùn)營(yíng)工程師

主要負(fù)責(zé)平臺(tái)外延材料生長(zhǎng)、功率芯片制備及封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備的運(yùn)維、管理及對(duì)外服務(wù)。

【崗位職責(zé)】：

1、設(shè)備安裝、調(diào)試與驗(yàn)收，工藝計(jì)劃與執(zhí)行；

2、優(yōu)化工藝條件，確保工藝穩(wěn)定性；

3、制定備件申購(gòu)計(jì)劃，跟蹤采購(gòu)進(jìn)度，易耗、易損件庫(kù)存管理；

4、設(shè)備sop文件體系擬定、完善，制定設(shè)備操作流程、日常巡檢、維修、日常保養(yǎng)計(jì)劃，實(shí)施設(shè)備預(yù)知性維修，改善工作質(zhì)量，迅速解決機(jī)臺(tái)出現(xiàn)的問(wèn)題，保持設(shè)備性能狀態(tài)，提高設(shè)備uptime；

5、設(shè)備運(yùn)行管理及對(duì)外服務(wù)；

6、團(tuán)隊(duì)協(xié)調(diào)及工藝協(xié)同。

【任職要求】：

1、大學(xué)本科及以上學(xué)歷；

2、半導(dǎo)體、機(jī)械、機(jī)電、自動(dòng)化、電氣工程、材料、化學(xué)、電子信息等理工科專(zhuān)業(yè)；

3、三年以上材料、半導(dǎo)體晶圓制造或封測(cè)領(lǐng)域工作經(jīng)驗(yàn)，有建廠或裝機(jī)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮；

4、具有良好的英文書(shū)寫(xiě)及溝通能力。

七、申請(qǐng)方式

1、申請(qǐng)青年人才者填寫(xiě)附件《青年人才卓越計(jì)劃申報(bào)表》；

2、申請(qǐng)博士后人員請(qǐng)?zhí)顚?xiě)附件《浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心博士后研究人員崗位申請(qǐng)表》（加附件）；

3、表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：獲獎(jiǎng)情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等）及佐證材料；

4、博士學(xué)位論文；

5、個(gè)人簡(jiǎn)歷及其他相關(guān)證明材料。

申請(qǐng)人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心指定郵箱：，郵件主題以"應(yīng)聘平臺(tái)+應(yīng)聘崗位+姓名+高校人才網(wǎng)"命名。

八、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：楊老師、劉老師

聯(lián)系電話：0571-82359099、82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)

附件1：青年人才卓越計(jì)劃申報(bào)表

附件2：